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NXP Semiconductors
I
PESDxU1UT series
Ultra low capacitance ESD protection diode in SOT23 package
10
I R
I R(25?C)
006aaa442
? V CL ? V BR ? V RWM
? I RM
? I R
V
1
?
P-N
+
? I PP
006aaa407
10 ? 1
? 100
? 50
0
50
100
T j ( ° C)
150
PESD3V3U1UT; PESD5V0U1UT
I R is less than 10 nA at 150 ° C for:
PESD12VU1UT; PESD15VU1UT; PESD24VU1UT
Fig 3.
V-I characteristics
Fig 4.
Relative variation of reverse leakage current
as a function of junction temperature; typical
values
PESDXU1UT_SER_2
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 20 August 2009
6 of 13
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